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Cedrix
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Je t'ai dis... le coef de dilatation du sillicium est extremement faible... pour te donner une idée pour une différence de 100° un carré de sillicium s'élargit de grosso modo la distance qui sépare 100 atomes donc tu vois... trop petit pour faire une différence a l'échelle d'une piste individuelle

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non mais c'est une question de logique là tout simplement... à l'échelle d'une piste(ou raccord si tu préfères) la dilatation est de l'ordre d'un atome ou deux... sur une gravure au 45nm c'est insignifiant le raccord au lieu de faire 10000 atomes il en fera plus que 9999 de distance.... je t'ai déjà dis que la réponse c'était le bruit électronique pour la température voltage etc...

EDIT : Dis c'est la fatigue ?

Pour répondre a nouveau... le froid diminue l'agitation des éléctrons et justement diminue les fuites ou parasites... mais a trop descendre la température justement les éléctrons ne circule presque plus dans les pistes et transistors du CPU... c'est pour ça que en dessous d'une température trop extrême le CPU ne fonctionne plus...

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Je vais vous aider un peu :

C'est pas une dilatation. T'as raison en le disant Drak.

C'est la structure en cristal du milieu qui grandit quand on injecte du jus. Une structure c'est pas la dilatation.

Le silicium lui il chauffe pendant l'injection de jus électrique dans la structure de cristal ( parallélépipéde avec diagonales partout ) MAIS c'est la porte elle mesure 1,11112 m d'un seul coup ( 1m ) DANS la matière de la porte. Et réciproquely.

ça prend la tête :yes:

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Euh, la structure atomique a des électrons périphériques. Dans un milieu semi conducteur :auto: les électrons ( nous quoi ) se barrent faire contact sous l'effet du courant.

Bon, je vais faire une pause.**

L'effet électronique est que la structure du milieu, en toutes diagonales, mesure 1,11112 m alors qu'à "froid" elle mesurait 1 m.

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Cool j'attaque :oui2

"les ions (anions et cations) : la migration des ions entraîne le déplacement de la charge associée"

"Le déplacement des ions peut être le seul fait de l'agitation thermique ; on parle alors de « diffusion », le courant électrique généré étant une conséquence de cette migration."

"L'oxyde peut contenir des éléments étrangers. Ces éléments peuvent être :

* des impuretés, introduites involontairement dans le procédé de fabrication ou bien présents dans le produit naturel ;

* des ajouts volontaires pour modifier le comportement de l'oxyde.

Ces impuretés peuvent se glisser entre les ions du réseau, elles sont alors dites « interstitielles », ou bien peeuvent remplacer des atomes du réseau, elles sont alors dites « en substitution ».

"Les éléments dopants peuvent introduire une charge effective non nulle. Cette création de charge va permettre une conductivité électrique, soit sous forme ionique, soit sous forme électronique"

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tout ça à partir d'un modeste poste de ma part disant que j'ai du revoir mes tensions à la hausse, ben dis donc.

Bon, sinon, je suis pas stable avec mes augmentations mais je tape le 77°C en full donc ça sent la baisse de tension et de fréquence pour l'été tout ça :transpi: . je peux pas me permettre de continuer à monter le Vcore compte tenu des temp en burn.

je vais dans un premier temps redescendre @ 3.0GHz (333*9) en espérant que ça suffise.

Je vais aussi voir à faire un test @ stock afin de voir si le CPU n'a pas pris un coup, c'est pas à exclure. Vu qu'il a moins d'un an, je peux à ce moment espérer avoir en retour un E4500 M2 vu que le E4300 n'est plus produit.

Mais place aux tests d'abord.

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Je pense qu'il n'a rien ton cpu ;)

Reprend une valeur stable.

Burn le toute une nuit (toujours mieux de faire burner le couple cpu/ram).

Le lendemain tu retire un crans de vcore et tu enchaine.

Dac, j'vais faire ça, mais pô avant le 22, date de fin des partiels.

En tout cas, je prends note et je vais tout refaire comme un bon gros bourrin :transpi:

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en théorie, si les 2 parties sont totalement planes, t'as pas besoin de mettre de pate thermique vu que les 2 surfaces sont en contact étroit.

Après, le problème de couper la pate thermique avec autre chose (eau, alcool par ex), c'est que tu risques de créer une réaction interne au sein de la pate la rendant bien moins efficace.

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A moins d'avoir du matos de pointe il y aura une limite sur le degrés de planitude de l'ihs/rad.

Rien que notre action apporte un gain assez appréciable mais c'est selon de finition.

Pour la pâte je pensais à une mixture entre 3 quart d'as5 mixé avec la pâte la plus fluide et perf le rendu devant être crémeux.

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qu'est-ce qu'on ferait pas sans une pate fluide et crèmeuse ;):transpi:

mélanger 2 pates peut avoir le même soucis de réaction interne dégradant ses perf.

M'enfin, si tu vas jusqu'au P20000, je pense que c'est assez plat pour se passer de pate thermique.

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