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[VDS] kit 2*512Mo Computersmsa BH5


jetskate

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Allez je viens à la rescousse, à l'époque j'ai faillit en prendre à compu :

Alors Pt1t les a fait un screen à 283 MHz 2-2-2-5 @ 3.9V : http://valid.x86-secret.com/show_oc?id=21682

stable à 3.7V 270 MHz 2-2-2-5 :

http://users.skynet.be/pt1t/CSMA/Lecture_270.PNG

http://users.skynet.be/pt1t/CSMA/ecriture_270.PNG

http://users.skynet.be/pt1t/CSMA/latence_270.PNG

http://users.skynet.be/pt1t/CSMA/SPI_1M_270.PNG

quasiment tous ont pu les faire tourner à 265 mhz 2-2-2-5 @ 3,6V

Par contre il est vrai qu'un memtest de ta part aux certifications (200mhz 2-2-2-5 @ 2,8v) serait le bienvenue (y a eu quelques soucis avec ses premiers arrivage de BH-5).

voili voilou.

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il est pas ecrit, OCZ ou corsair donc ça n'interesse personne

vive la société de consommation :transpi:

ta pas un lien pour plus de détaille?des sreens?

Ya la facture??

because ca m'interesse

pas facture mais il y en a pas besoin, vu que c'est modeles uniques. elles peuvent venir que de computersmsa

pour des screens c'est juste au dessus de mon post :eeek2:

merci à toi tetsuo34

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il y a deux rettes, une des deux est une tcc5 mais a des perfs équivalentes :)

ça donne :

1.1. Barrette 1 : rev 4.1 puces Samsung TCCD

tCL-tRCD-tRP-tRAS : 2.5-4-3-5

tRC = 7 | tRFC = 14 | tRRD = 2 | tWR = 2 | tWTR = 2 | tRTW = 2 | tREF = 4708 | tWCL = 1 | DRAM Bank Interleave = Disable | DQS skew Control = Increase Skew | DQS Skew Value = 255 | DRAM Drive Strength = Auto | DRAM Data Drive Strenght = Level 2 | Max Asynce lantency = Auto | Read Preamble time =Auto | Idle Cycle Limit = 16 | Dynamic Counter = Enable | R/W Queue Bypass = 16x | Auto Bypass Max = 7x | 32 byte Granulation = Enable(4burst)

Voltage : 2,7v + 0.03v

Stable Memtest : 290Mhz

1.2. Barrette 2 : rev 4.2 puces Samsung TCC5

tCL-tRCD-tRP-tRAS : 2.5-4-3-5

tRC = 7 | tRFC = 14 | tRRD = 2 | tWR = 2 | tWTR = 2 | tRTW = 2 | tREF = 4708 | tWCL = 1 | DRAM Bank Interleave = Disable | DQS skew Control = Increase Skew | DQS Skew Value = 255 | DRAM Drive Strength = Auto | DRAM Data Drive Strenght = Level 2 | Max Asynce lantency = Auto | Read Preamble time =Auto | Idle Cycle Limit = 16 | Dynamic Counter = Enable | R/W Queue Bypass = 16x | Auto Bypass Max = 7x | 32 byte Granulation = Enable(4burst)

Voltage : 2,7v + 0.03v

Stable Memtest : 285Mhz

voilà :transpi:

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