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timming ram


infernum

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salut a tous,

j'ai lu que lorsque l'on fait un o/c , il faut modifier les timming de la ram ou qque chose comme ca,

donc j'aimerai savoir comment les regler...

et si je fais un o/c en augmenter le FSB, normalement la fréquence de la ram ne devraient pas augmenter ?? ( enfin si timming = fréquence )

si qqun pouvais m'expliquer plus en profondeur sur ce sujet ou alor me donner un lien ou c'est expliqué ...

ca serai sympa ! :francais::p

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j'ai deja regardé pas mal de message mais yen a tellement et ceux que j'ai vu ne repondent pas a mes question... :p

comprend a quoi ca sert de regler les timing

comment les reglersi qqun avait qque minutes :francais: pour mexpliquer ou me donner un lien sur pcinpact ou n'importe quel autre site

ca serai simpa :chinois:

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ok,

si tu as deja overcloké, tu peu me dire comment tu regles les timing... si tu te refere a qque chose pour les regler... merci

parceque je vois pas a quoi correspond exactement les nombres 2-2-2-6-1-2-1 par exemple.

je pense que pour les regler moi meme , il faut savoir ce qu'ils signifient.

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ok,

si tu as deja overcloké, tu peu me dire comment tu regles les timing... si tu te refere a qque chose pour les regler... merci

parceque je vois pas a quoi correspond exactement les nombres 2-2-2-6-1-2-1 par exemple.

je pense que pour les regler moi meme , il faut savoir ce qu'ils signifient.

###Cas Latency###

c'est le temps minimum pour accéder à une colonne. (à une page...)

pour la DDR il est en général de 2.5 cycles (15 nanosecondes sur un FSb de 166 MHz).

L'abaisser à 2 cycles procure un gain de performances très sensible (réglage agressif) .

Il est parfois possible de le régler à 1.5 cycle (je crois que Corsair à déjà sorti des barettes certifiées CAS 1.5) mais il faut de la DDR de très très bonne qualité pour accéder à ces timings extrêmes!

###Active to CMD###

C'est le temps minimum pour accéder à une ligne, après avoir identifié la colonne... (le temps pour trouver le paragraphe mais il faut d'abord avoir trouvé la page!!!).

la valeur est en général de 3 cycles, mais on peut la fixer à 2 (timings agressifs).

afin de pouvoir augmenter le FSB (qui augmente systématiquement ET sensiblement les performances) on peut envisager de conserver un "CAS Latency" de 2 cycles et un "Active to CMD" de 3 cycles.

au contraire si on n'a pas accès au CAS 2 on peut tout de même tenter d'abaisser ce timing...

###Precharge to Active###

La RAM stocke les données dans des colonnes et des lignes qui sont situées dans les modules de mémoires (des livres!) (ceux qui sont visibles sur la barette ?!) il faut donc des délais pour accéder aux colonnes et aux lignes (pages et paragraphes d'un livre...) mais aussi un délai pour accéder aux différents modules (à différents livres...).

Ce timing correspond au temps séparant deux signaux d'accès à une ligne sur des modules différents...(si j'ai bien saisi).

La valeur est en général de 3 cycles et on peut comme précedement l'abaisser à 2.

c'est aussi un timing qui peut être maintenu à 3 cycle pour favoriser l'augmentation du FSB...ou abaissé si le CAS 2 reste inaccessible.

###TRAS###

Ce timing correspond au temps séparant deux signaux d'accès à une colonne sur des modules différents...(logiquement on devrait le trouver AVANT "Precharge to Active").

La valeur par défaut peut être 6, 7 voire 8 cycles, elle peut varier d'une barette à l'autre...(voir le SPD..).

On peut abaisser cette valeur à 5 voire 4 cycles pour les barettes de qualité...

ce timing est rarement un facteur limitant par rapport à l'augmentation du FSB, mais il s'agit un timing mineur et peut donc être maintenu à 6 par exemple pour préserver l'accès à un FSB maximum...

###DRAM command rate###

C'est le délai entre la reception d'une commande et sa réalisation (le temps entre la demandede lire tel ou tel passage et celui ou vous saisissez le livre...), c'est donc, au même titre que le "CAS Latency" un temps d'accés du premier ordre, et il a autant d'importance.

La valeur par défaut peut être de 2 ou 3 cycles en fonction du BIOS et du SPD de la barette...

usuellement on abaisse cette valeur à 1 cycle, avec un gain de performances sensible...

Il semble que ce timing ne freine pas trop l'augmentation du FSB...

###Write recovery###

c'est le délai d'attente pour que des données écrites puissent être lues (le temps que l'encre du livre sèche..!!).

la valeur par défaut est 3 cycles (sur mon système) et je l'ai fixée à 2 cycles .

c'est un timing mineur (gain limité en performances).

###DRAM Twtr###

c'est le délai entre une opération d'écriture réussie et la commande de lecture suivante.

La valeur par défaut est 3 cycles (sur mon système) et la seule autre valeur possible, que j'ai adoptée, est 1 cycle.

c'est également un timing mineur.

RAS Precharge : Le temps séparant deux commandes RAS, c'est à dire le temps à attendre coté Northbridge avant d'envoyer une commande RAS

RAS : Le temps nécessaire pour sélectionner effectivement une ligne.

RAS to CAS : Le temps nécessaire pour changer "de mode".

CAS : Le temps nécessaire pour accéder à une colonne.

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